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    微电子学院科研平台目录
    2019-05-10 20:58   审核人:


    微纳加工类

    1.     电子束曝光系统(EBL

    2.     激光直写

    3.     紫外曝光光刻机系统(2台)

    4.     ICP-RIE干法刻蚀系统

    5.     超声波金丝球焊线机

    6.     UV Zone

    7.     氧等离子体清洗机

    材料制备类

    1.     单靶射频溅射

    2.     电子束蒸发镀膜仪(2台)

    3.     热阻蒸发镀膜仪

    4.     原子层沉积系统(ALD

    5.     化学气相沉积系统(CVD

    6.     有机化学气相沉积系统(MOCVD

    7.     激光脉冲沉积系统(PLD

    8.     金属有机蒸发镀膜设备

    9.     高真空磁控溅射台

    分析测试类

    1.     高频测试系统(Keysight PNA-X, PXA N9030A

    2.     直流测试系统(Agilent B2900, E4980A

    3.     fA级半导体参数测试系统(Keysight B1500A

    4.     低温强磁场探针台

    5.     扫描电子显微镜(SEM

    6.     显微拉曼光谱仪

    7.     光学分析与太阳能测试系统

    8.     紫外-可见光分光光度计

    9.     低温测试系统

    10. 安捷伦半导体参数分析仪(Agilent B1500A

    11. 霍尔效应及磁电阻测量系统

    12. 光谱(PL)测量系统

    13. PDL基站数传电台

    14. 示波器

     

    微纳加工类 


      1.电子束曝光系统(EBL


    http://www.raithchina.com/assets/images/9/overview-eline-plus-d83780c9.png

    1.  仪器名称:电子束曝光系统(EBL

    型号和规格:e-Line plus

    生产厂商:Raith

    2.  仪器主要用途

    eLINE Plus是一款高性能电子束曝光(EBL)系统,它能同时应用多种纳米加工技术。它拥有世界上专业EBL系统中最小直径的电子束束斑(<1.6nm),最小加工线宽可达8nmeLINE Plus使用包括高精度激光干涉样品台、高速高精度图形发生器、图形识别自动套刻等先进的电子束曝光技术,能够同时满足超高分辨率和大面积图形的微纳加工要求。

    3.  主要技术指标

    最小线宽7 nm,电子束胶为PMMA 950K A4positive

    EHT10kV20kV

    Aperture7μm20μm30μm

    4.  样品要求(如有)

    衬底易导电

    5.  安放地点:中心校区知新楼C座一楼南大厅   

    6.  联系人:王一鸣,邮箱:nano@sdu.edu.cn


      2.激光直写

    https://imgcn0.guidechem.com/img/product/2014/10/10/1412956509609129.jpg

    1.  仪器名称:激光直写

    型号和规格:MicroWriter ML?2

    生产厂商:英国DMO公司

    2.  仪器主要用途

    Microwriter ML II无掩膜激光直写系统是专门为科研实验室设计开发的多功能激光直写光刻系统,不仅具有无掩模板直写系统的灵活性,还拥有高书写速度、高分辨率和低成本的特点。Microwriter ML II采用集成化设计、全自动控制,可靠性高,操作简便,是微电子、半导体研究中代替传统光刻工艺的理想工具。

    3.  主要技术指标

    最大加工区域:直径200 mm

    宽域曝光模式,包含405 nm375 nm两个曝光波段

    激光最高分辨率:0.6 μm

    自动对焦精度: 100 nm

    可识别DXF, CIF, GDSII, Gerber格式文件

    4.  样品要求(如有)

    样品尺寸:5 mm*5 mm-50 mm*50 mm

    5.  安放地点:中心校区知新楼C座一楼南大厅   

    6.  联系人:王一鸣,邮箱:nano@sdu.edu.cn


    3.紫外曝光系统

    1.  仪器名称:紫外曝光系统

    型号和规格:MBJ4

    生产厂商:SUSS

    2.  仪器主要用途

    光刻胶紫外曝光和套刻曝光,MJB4配有高可靠和高精度的对准系统,同时具备亚微米量级的高分辨率图形转移能力。

    3.  主要技术指标

    1)两种紫外光源:365 nm(功率密度~14 mW/cm2), 405 nm(功率密度~15 mW/cm2.

    2)四种接触模式: Soft contact, Hard contact, Vacuum contact, Low vacuum contact.

    3Mask Holder兼容3– 5寸的光刻版.

    4.  样品要求(如有)

    样品尺寸小于2 英寸

    5.  安放地点:知新楼C座一楼南大厅

    6.  联系人:徐化勇,邮箱:nano@sdu.edu.cn



     6 光刻机

    1. 仪器名称:光刻机系统(包括匀胶机和烘胶台)

    型号和规格:H94-25C

    生产厂商:四川南光

    2. 仪器主要用途

    在半导体器件制备过程中做光刻用途。

    3. 主要技术指标

    硬接触曝光的最小分辨率可达3 μm

    样品尺寸:样品尺寸小于2 英寸

    4. 安放地点:中心校区光电所一楼超净实验室

    5. 联系人:栾彩娜,邮箱:cnluan@sdu.edu.cn

     

     4.ICP-RIE 干法刻蚀系统

    1.  仪器名称:干法刻蚀系统

    型号和规格:PlasmaPro? 100 Cobra

    生产厂商:牛津仪器

    2.  仪器主要用途

    可工作在ICP模式又可RIE模式的干法刻蚀系统,用于半导体等材料的干法刻蚀,目前可以刻蚀的材料:IGZO, InGaAs, GaAs, InP, GaN, SiO2

    3.  主要技术指标

    ICP 功率:最大可达3000 W,频率 13.56 MHz

    低位电极功率:最大可达 300 W,频率 13.56 MHz

    本底真空度:小于4 × 10-6 Torr

    极限真空度:3 × 10-7 Torr

    9路工艺气体气路:CH4H2BCl3Cl2SiCl4O2SF6CHF3Ar

    4.  样品要求(如有)

    样品尺寸小于2 英寸,不能刻蚀金属材料

    5.  安放地点:知新楼C座一楼南大厅

    6.  联系人:徐化勇,邮箱:nano@sdu.edu.cn


     5.超声波金丝球焊线机

    1.  仪器名称:超声波金丝球焊线机

    型号和规格:GW-805A

    生产厂商:浩高电子科技有限公司

    2.  仪器主要用途

    用于针对发光二极管、红外发射管、中小功率三极管、集成电路及特殊半导体元件进行内部引线焊接。

    3.  主要技术指标

    劈刀规格:Φ1.6×9.5

    压力:压力范围:35-180g,一、二焊点压力分别可调,预压力:30g

    弧形种类:普通弧形、深杯弧形、食人鱼弧形

    焊接高度:5-7 mm

    焊接跨度:自动跨度0-4.5 mm,手动最大范围0-20 mm

    尾丝控制:0-1.5 mm,注意焊接时不可调为0

    导轨定位精度:脉冲当量0.003 mm

    控制范围:室温~350 ℃,精度±5 °C

    金线:金线线径:1.0 mil

    4.  样品要求(如有)

    视具体情况 

    5.  安放地点:微电子学院教研楼3B 104

    6.  联系人:徐化勇,邮箱:nano@sdu.edu.cn


     6.UV ozone 

    http://bioforcenano.com/wp-content/uploads/2013/05/ProCleaner3.jpg

    1.  仪器名称:UV ozone 

    型号和规格:ProCleaner     

    生产厂商:BioForce Nanoscience

    2.  仪器主要用途

    清除来自SPTsAFM尖端和表面的分子污染

    固化UV

    SAM表面的UV光蚀刻

    氧化PDMS

    表面消毒

    3.  主要技术指标

    紫外光发生臭氧

    4.  样品要求(如有)

    视具体情况 

    5.  安放地点:中心校区知新楼C座一楼南大厅   

    6.  联系人:王一鸣,邮箱:nano@sdu.edu.cn


      7.氧等离子体清洗机

     

    https://timgsa.baidu.com/timg?image&quality=80&size=b9999_10000&sec=1554968891621&di=441cc3a3538f213336ca8fb52cdb0fd6&imgtype=0&src=http%3A%2F%2Fimg1.goepe.com%2F201205%2F1337851262.jpg

    1.  仪器名称:氧等离子体清洗机

    型号和规格:PDC-32G 

    生产厂商:Harrick Plasma

    2.  仪器主要用途

    用干法等离子体技术去除有机光刻胶(灰化),集成预处理步骤去除自然氧化层,气体与等离子体能量化学反应,达到去污目的。

    3.  主要技术指标

    RF Power: Low: 6.8WMedium: 10.5WHigh: 18W,使用氧气、氮气

    4.  样品要求(如有)

    视具体情况

    5.  安放地点:中心校区知新楼C座一楼南大厅   

    6.  联系人:王一鸣,邮箱:nano@sdu.edu.cn


     

      材料制备类 


    1.单靶射频溅射

    https://www.dentonvacuum.com/wp-content/uploads/2017/07/explorer.jpg

    1.  仪器名称:单靶射频溅射

    型号和规格:EXPLORER

    生产厂商:DENTON VACUUM, LLC

    2.  仪器主要用途

    磁控溅射目前是一种应用十分广泛的薄膜沉积技术,具有成膜速率高,基片温度低,膜的粘附性好,可实现大面积镀膜等特点。

    3.  主要技术指标

    目前实验室现有靶材:IGZO, ITO, SiO2, Ta2O5, W, Sn,

    4.  样品要求(如有)

    无磁性,不含铜

    5.  安放地点:中心校区知新楼C座一楼116 

    6.  联系人:王一鸣,邮箱:nano@sdu.edu.cn


     2.电子束蒸发镀膜仪

    1.  仪器名称:电子束蒸发镀膜仪

    型号和规格:Auto 500

    生产厂商:HHV

    2.  仪器主要用途

    用于金属材料的电子束蒸发镀膜

    3.  主要技术指标

    极限真空:2×10-7 mbar

    本底真空:小于8×10-6 Torr

    现有金属材料:TiAuGeNiPdPt

    4.  样品要求(如有)

    视具体情况

    5.  安放地点:知新楼C座一楼南大厅

    6.  联系人:徐化勇,邮箱:nano@sdu.edu.cn

      


    8 电子束蒸发镀膜机

     

    1. 仪器名称:电子束蒸发镀膜机

      型号和规格:DN500

      生产厂商:沈阳科仪

    2. 仪器主要用途

      本设备可蒸镀高熔点金属薄膜材料的仪器,可蒸发熔点大于3000 °C的金属。

      主要制作半导体器件电极。薄膜生长厚度在1 nm-1 μm范围内可监测。

    3. 主要技术指标

      腔室冷态极限真空可达到1×104 Pa

    4. 样品尺寸:直径小于10 cm

    5. 安放地点:中心校区光电所一楼超净实验室

    6. 联系人:栾彩娜,邮箱:cnluan@sdu.edu.cn

     

     3.热阻蒸发镀膜仪

    See the source image

    1.  仪器名称:热阻蒸发镀膜仪

    型号和规格:Auto 306

    生产厂商:HHV

    2.  仪器主要用途

    用于不同材料的热阻蒸发镀膜

    3.  主要技术指标

    极限真空:2×10-7 mbar

    本底真空:小于5×10-6 mbar

    现有热蒸金属:AuAl

    4.  样品要求(如有)

    视具体情况 

    5.  安放地点:知新楼C1楼南大厅

    6.  联系人:徐化勇,邮箱:nano@sdu.edu.cn


    4.原子层沉积系统(ALD

    1.  仪器名称:原子层沉积系统

    型号和规格:TALD-150A

    生产厂商:嘉兴科民

    2.  仪器主要用途

    使用原子层沉积方法生长氧化物介质膜

    3.  主要技术指标

    基片加热温度:室温~400 °C

    前驱体源路数:目前配有Al源,Hf源,Ti源,Si

    前驱体管路温度:室温~200℃,控制精度±1℃

    ALD阀:Swagelok快速高温ALD专用阀

    本底真空: <5×10-3 Torr,高性能机械泵

    沉积非均匀性:Al2O3非均匀性<±1%

    4.  样品要求(如有)

    视具体情况 

    5.  安放地点:知新楼C座一楼南大厅

    6.  联系人:徐化勇,邮箱:nano@sdu.edu.cn

      

      5.化学气相沉积系统

    1.  仪器名称:化学气相沉积系统

    型号和规格:OTF-1200X

    生产厂商:合肥科晶

    2.  仪器主要用途

      低维材料可控生长。

    3.  数量:3

    4.  主要技术指标

      温度范围:RT-1200 °C

      3路气体

      系统真空度:10-3 Torr

      直径:50 cm

    5. 安放地点:山东大学中心校区

    6.      联系人:杨再兴,邮箱:zaixyang@sdu.edu.cn

     

     6.有机化学气相沉积系统(MOCVD


    1 有机化学气相沉积系统

     

    1. 仪器名称:有机化学气相沉积系统(MOCVD

      型号和规格:ZDF-5227

      生产厂商:沈阳科仪

    2.  仪器主要用途

    本设备机械部分主要有样品引进预处理系统、III-V族化合物薄膜外延系统;样品引进预处理系统、II-VI族化合物薄膜外延系统。本设备可实现III-V族和II-VI族化合物薄膜的制备。

    3.  主要技术指标

      沉积室的冷态极限真空优于2x10-6Torr。样品托可加热最高温度:III-V族化合物外延室1200 oCII-VI族化合物外延室800 oC、预处理室退火温度200-1000 oC

    4.  样品尺寸:30 mm20 mm10 mm

    5.  安放地点:中心校区光电所一楼超净实验室

    6.  联系人:栾彩娜,邮箱:cnluan@sdu.edu.cn

     

     7.激光脉冲沉积系统(PLD


    15 准分子激光器  14 脉冲激光沉积溅射台

    1.  仪器名称:激光脉冲沉积系统(PLD

    型号和规格:PLD-450C

    生产厂商:沈阳科仪

    2.  仪器主要用途

    本设备可实现靶材化合物薄膜的制备。

    3.  主要技术指标

    激光器最高能量:600 mJ;样品托可加热最高温度:700 ℃;靶材尺寸:直径50-60 mm;沉积室的冷态极限真空可达到8x10-5 Pa

    4.  样品尺寸:30 mm20 mm10 mm

    5.  安放地点:中心校区光电所一楼超净实验室

    6.  联系人:栾彩娜,邮箱:cnluan@sdu.edu.cn

     

     8.金属有机蒸发镀膜设备

     

    12 金属有机蒸发镀膜

    1.  仪器名称:金属有机蒸发镀膜设备

    型号和规格:FD-600L

    生产厂商:沈阳科友

    2.  仪器主要用途

    本设备可实现有机物的热蒸发镀膜。

    3.  主要技术指标

    样品托可加热最高温度:100 ℃;沉积室的冷态极限真空可达到1×10-4 Pa

    4.  样品尺寸:≤30 mm

    5.  安放地点:中心校区光电所213

    6.  联系人:栾彩娜/庞智勇,邮箱:cnluan@sdu.edu.cn

     

     9.高真空磁控溅射台

     

    13 高真空磁控溅射台

    1.  仪器名称:高真空磁控溅射台

    型号和规格:MS350

    生产厂商:沈阳科友

    2.  仪器主要用途

    本设备可实现靶材溅射生长的薄膜生长。

    3.  主要技术指标

    靶材尺寸:直径50-60 mm;沉积室的冷态极限真空可达到1×10-3 Pa

    4.  样品尺寸:≤30 mm

    5.  安放地点:中心校区光电所213

    6.  联系人:栾彩娜/庞智勇,邮箱:cnluan@sdu.edu.cn

     

     

      分析测试类

     

     1.高频测试系统

    1.  仪器名称:高频测试系统

    源表型号和规格:Keysight PNA-X, Keysight PXA N9030A

    探针台:展芯科技RH6高频探针台

    2.  仪器主要用途

    Keysight PNA-X 网络分析仪是全球功能最全、最灵活的单次连接微波测试引擎,可测量放大器、混频器和频率转换器等有源器件。PNA-X 具有内置的第二个信号源、合路器和内部信号路由开关,能够提供无与伦比的可配置性。应用软件包括:S 参数(连续波和脉冲)、噪声系数、增益压缩、互调和谐波失真、转换增益/损耗、真正差分激励、毫米波、天线测试。

    Keysight PXA N9030A 信号分析仪是 X 系列信号分析仪中性能最高的产品,提供了高达 50 GHz 的频率范围,并提供测量功能选件和硬件扩展选件(包括最近推出的实时频谱分析仪选件)以确保在当前和未来均可进行灵活的测量,通过外混频可测量高达 1.1 GHz的信号。

    展芯科技RH6高频探针台是深圳市展芯科技有限公司针对安捷伦微波测试仪表及扩频模块设计的一款高精度、多自由度精密的探针台。和样品台配套的还有光学减震台、高精度探针座、高频GSG探针和标准校准片,可以满足两端口0 - 220GHz GSG探针微波测试的需求。

    3.  主要技术指标

    网络分析仪:

    10 MHz 220 GHz

    2 端口,具有两个内置信号源

    可提供 2 端口 67 GHz 单次扫描解决方案

    110 dB 系统动态范围,32001 个点,32 个通道,5 MHz 中频带宽

    高输出功率(67 GHz时功率为+10 dBm)和宽功率扫描范围

    67 GHz+11 dBm 时,接收机压缩精度为 0.1 dB

    信号分析仪:

    3 Hz 50 GHz;通过是德科技智能混频器将频率扩展到 110 GHz,使用OML的混频器扩展到 0.75 THz

    10 MHz(标配)、254085 160 MHz 分析带宽

    标配快速扫描功能,快速功率测量功能

    可升级实时频谱分析仪能力,对持续时间最短 3.57 μs 的信号具有 100% 的截获概率。

    ±0.19 dB 绝对幅度精度

    +22 dBm 三阶截获(TOI

    利用前置放大器和本底噪声扩展(NFE)可达到-172 dBm 显示的平均噪声电平(DANL

    -83 dB-88 dB 标称值)W-CDMA ACLR 动态范围(噪声校正功能启动)

     

    探针台:

    最大样品尺寸                   6英寸

    Z轴行程                       46 mm

    Z轴控制精度                    1 μm

    GSG探针间距                   150 μm

    样品旋转角度                   360

    4.  样品要求(如有)

    视具体情况

    5.  安放地点:山东大学软件园校区微电子学院教研楼3B 105 

    6.  联系人:王一鸣,邮箱:nano@sdu.edu.cn

     

    2.直流测试系统

                         

    1.  仪器名称:直流测试系统

    源表型号和规格:Agilent B2900, Agilent E4980A 

    探针台:Signatone S-1160

    2.  仪器主要用途

    直流探针台测试系统主要包括四部分:探针台、探针座、光学系统和测量设备。探针直径:实验室常用的探针直径是10微米和20微米。测量设备主要有Agilent B2900Agilent E4980AAgilent B2900 是一系列精确的源/测量单元,简称 SMUB2900 提供LCD、前面板键和旋钮来施加电压/电流或测量电压/电流/电阻。Agilent E4980A是用于元器件接收检验、质量控制和实验室使用的通用LCR表。E4980A可用于在宽频率范围(20 Hz20 MHz)和很宽的测试信号电平(0.1 mVrms 2 Vrms50 μA20 mArms)对LCR元件、材料和半导体器器件作出评估。

    3.  主要技术指标

    pA级直流电学性能测量

    4.  样品要求(如有)

    电极面积100μm*100μm

    5.  安放地点:中心校区知新楼C座一楼南大厅   

    6.  联系人:王一鸣,邮箱:nano@sdu.edu.cn


     3.fA级半导体参数测试系统

    https://www.formfactor.com/wp-content/uploads/eps150triax_angled.jpg

    1.  仪器名称:fA级半导体参数测试系统

    源表型号和规格:Keysight B1500A

    探针台:Cascade EPS150TRIAX

    2.  仪器主要用途

    B1500A 半导体器件分析仪属于是德科技精密电流-电压分析仪系列,是一款能够提供 IVCV、脉冲/动态 IV 等丰富功能的综合分析仪,旨在全面满足从基础到尖端应用的表征需求。

    3.       主要技术指标

    I-V源测量单元(SMU I):

    电压范围:±100 V, 电压测量分辨率:0.5 μV

          电流范围:±100 mA, 电流测量分辨率:10 fA

    I-V源测量单元(SMU II)

    电压范围:±100 V, 电压测量分辨率:0.5 μV

    电流范围:±100 mA, 电流测量分辨率:1fA

    C-V 多频率电容单元(CMU

          AC 阻抗测量 (C-V, C-f, C-t)

         频率范围:1 KHz~5 MHz, 频率分辨率:1mHz

         交流信号电压范围:10mVrms~250mVrms

         偏置电压范围:±25 V

    脉冲发生器单元    

    输出电压:40 V

    生成任意波形,分辨率 10 ns

    最小脉宽 10 ns

    IV/C-V 切换单元   

    实现 I-V测量和 C-V 测量之间简便切换,无需换线

    3.  样品要求(如有)

    样品最大6英寸,电极尺寸最小100 μm*100 μm

    4.  安放地点:中心校区知新楼C座一楼116 

    5.  联系人:王一鸣,邮箱:nano@sdu.edu.cn


     4.低温强磁场探针台

     

    https://www.lakeshore.com/PublishingImages/CRX-VF.png

    1.  仪器名称:低温强磁场探针台

    型号和规格:CRX-VF

    生产厂商:Lakeshore

    2.  仪器主要用途

    低温强磁场探针台通过无需冷却剂的闭循环制冷,拥有高达±2.5 T的超导体磁场。配合测试仪表可以进行C-VI-V、微波和光电探测,并可以外加平面外垂直场超导磁场。该系统进行霍尔效应测量和测试磁传输参数。支持最大2英寸的样品。

    3.  主要技术指标

    最大样品尺寸: 2英寸

    最大磁场强度: ±2.5 T

    探针臂数量:   4

    光纤探针臂:   1

    样品台温度:10 K~500 K

    4.  样品要求(如有)

    视具体情况

    5.  安放地点:山东大学软件园校区微电子学院教研楼3B 105 

    6.  联系人:王一鸣,          邮箱:nano@sdu.edu.cn


     5.扫描电子显微镜(SEM

    https://ss0.bdstatic.com/70cFuHSh_Q1YnxGkpoWK1HF6hhy/it/u=768842647,2866892121&fm=26&gp=0.jpg

    1.  仪器名称:扫描电子显微镜(SEM

    型号和规格: Nova NanoSEM 450

    生产厂商:FEI

    2.  仪器主要用途

    SEM主要是利用二次电子信号成像来观察样品的表面形态,即用极狭窄的电子束去扫描样品,利用电子束与样品的相互作用产生各种效应,其中主要是样品的二次电子发射。SEM是介于透射电镜和光学显微镜之间的一种微观形貌观察手段,可直接利用样品表面材料的物质性能进行微观成像。

    能谱仪(EDS, Energy Dispersive Spectrometer)是用来对材料微区成分元素种类与含量分析,配合扫描电子显微镜来使用。各种元素具有自己的X射线特征波长,特征波长的大小则取决于能级跃迁过程中释放出的特征能量E,能谱仪就是利用不同元素X射线光子特征能量不同这一特点来进行成分分析的。

    3.  主要技术指标

    分辨率:0.8nm;沉浸模式、射束加速、透镜内?TLD-SE??TLD-BSEDBS,以实现最佳信息和图像优化选择;射束着陆能量、低至50?V

    4.  样品要求(如有)

    无磁性,易导电,自行喷金

    5.  安放地点:中心校区知新楼C座一楼南大厅   

    6.  联系人:王一鸣,     邮箱:nano@sdu.edu.cn


     6.显微拉曼光谱仪

    1.  仪器名称:显微拉曼光谱仪

    型号和规格:inVia

    生产厂商:英国雷尼绍公司

    2.  仪器主要用途

    通过探测材料的振动能态可分析得到化学和结构信息,用来完成材料的鉴定、材料特性的研究和空间分析。雷尼绍的 inVia 拉曼光谱仪还可以用来测量光致发光(PL), PL 是拉曼效应的竞争效应。 PL 谱峰通常强度高,是材料电子能态的函数。 PL 效应有时表现为一个湮没拉曼谱带的宽谱带。然而,PL 测量也可以提供一些有用的与材料特性相关的补充信息,例如结点、结构空位、和原子取代等。

    3.  主要技术指标

    目前配有325 nm, 532 nm, 633 nm波长的三个激光器。

    三个激光器的参数:

      325 nm激光器:功率20 mW,拉曼位移范围:200-4000 cm-1PL范围: 327-1700 nm

      532 nm激光器:功率50 mW,拉曼位移范围: 45-9000 cm-1PL范围:533-1700 nm

      633 nm激光器:功率17 mW,拉曼位移范围: 95-6000 cm-1PL范围:636-1700 nm

    4.  样品要求(如有)

    单晶(厚度不超过2 mm,圆片或方片均可),固体粉末亦可,建议压成饼状测试,测试预约时说明样品详情;

    5.  安放地点:山东大学中心校区知新楼C座一楼南大厅

    6.  联系人:王成园,      邮箱:nano@sdu.edu.cn


     7.光学分析与太阳能测试系统


    1.  仪器名称:光学分析与太阳能测试系统

    型号和规格:SolarCellScan100

    生产厂商:北京卓立汉光仪器有限公司

    2.  仪器主要用途

    太阳光模拟器可以用来模拟真实的太阳光照条件,在太阳能光伏器件的研究和质检中被广泛应用。太阳光模拟器具备光束准直、光斑均匀、光谱与太阳光匹配的特点,可以完成太阳光照射条件的实验。太阳光模拟器适用于单晶硅、多晶硅、非晶薄膜、染料敏化、有机、III-V族半导体等各种不同类型的太阳能电池。

    SolarCellScan100是一款用于太阳能电池光谱响应和量子效率测试的实验平台。它采用Turnkey式的集成化设计,将量子效率、透反射率、Mapping测试等功能集成到一套仪器中,实现全自动化测量。SolarCellScan100可以测量太阳能电池的光谱响应度、外量子效率、内量子效率、反射率、透射率、短路电流密度、量子效率Mapping、反射率Mapping.

    3.  主要技术指标

      全光谱太阳能光模拟,测试的光伏材料扩展至近红外;

      垂直光路确保样品可水平放置;

      开放式偏执光路特别适合多结及多层默电池测量;

      交流模式适合单晶/多晶/非晶硅、CdTeCIGSGaAs等太阳能电池;

    4.  样品要求(如有)

    5.  安放地点:山东大学软件园校区微电子学院教研楼3B104

    6.  联系人:王成园,        邮箱:nano@sdu.edu.cn


     8.紫外-可见光分光光度计

    http://www.pgeneral.com/upload/image/201901/22/0953241615.jpg

    1.  仪器名称:紫外-可见光分光光度计

    型号和规格:TU-1901

    生产厂商:北京普析通用仪器有限责任公司

    2.  仪器主要用途

    分光光度计,又称光谱仪(spectrometer),是将成分复杂的光分解为光谱线的科学仪器,在有机化学、生物化学、药品分析、食品检验、医药卫生、环境保护、生命科学等各个领域的科研、生产工作中都得到了极其广泛的应用。北京普析通用 TU-1901 型号的光度计是双光束紫外可见分光光度计,它包括两束单色光、两只比色皿、光电转换器。

    3.  主要技术指标

      仪器测量范围为 190~900 nm,其中在可见光区,用钨丝灯为光源,在紫外光区,用氘灯为光源,换灯波长可在 320nm-380nm 波段范围内任意设定。

      单色器的核心组件色散器采用全息光栅,进一步降低仪器的杂散光,出光狭缝是可调的,光谱带宽光谱带宽可在 0.1nm0.2nm0.5nm1.0nm2.0nm5.0nm 中进行选择。

      此型号的光度计样品室可放置的样品池架有变角度固体样品池架、长样品池架(放置比色皿)。

      仪器的检测器是光电倍增管,利用光电效应将透过吸收池的光信号变成可测的电信号。

    4.  样品要求(如有)

    5.  安放地点:山东大学软件园校区微电子学院教研楼3B104

    6.  联系人:王成园,           邮箱:nano@sdu.edu.cn


      9.低温测试系统

    1.  仪器名称:低温测试系统

    型号和规格:JANIS SHI-4-2 4K

    生产厂商:美国Janis公司

    2.  仪器主要用途

    JANIS SHI-4-2 4K低温测试台配备HC-4E氦气闭循环制冷系统、EDWARDS T-station 75无油分子泵、SHI-4-2低温恒温台、CRYO·CON? 32 温度控制模块和Honest FL-02风冷式水冷机。温度可控制在4 K300K的范围内。

    3.  主要技术指标

      温度范围:4K-300K

      初始降温时间:90 minutes to 5K

      制冷功率:0.2W @ 4.2K(2nd stage), 5 W @ 60K(1st stage)

      配电要求: 200208/230230/240 VAC 1 Phase 50/60 Hz3.0KW

      冷却水要求:2.7 liters/min@ 4-27 degrees C

      压缩机尺寸及重量: 504 mm x 430 mm x 485 mm, 75 Kg

    4.  样品要求(如有)

      小于 2 cm × 2 cm

      待测样品上需要有较大尺寸的pad

    5.  安放地点:山东大学软件园校区微电子学院教研楼3B104

    6.  联系人:王成园, 邮箱:nano@sdu.edu.cn


     10.半导体参数分析仪

     

    9. 10 半导体参数分析仪及探针台

    1.仪器名称:半导体参数分析仪

    型号和规格:B1500A

    生产厂商:安捷伦

    2.仪器主要用途

    主要用于测量半导体器件的直流特性,如器件的I-V特性,C-V特性,C-W特性。

    3.主要技术指标

    最大强制电压±200 V,最大强制电流±1 A,电压测量分辨率2 μV,电流测量分辨率10 fA

    4.  样品尺寸:尺寸小于3英寸。

    5.安放地点:中心校区光电所一楼平9房间

    6.联系人:栾彩娜,邮箱:cnluan@sdu.edu.cn

     

     11.霍尔效应及磁电阻测量系统

    11 霍尔效应及磁电阻测量系统

     

    1.仪器名称:霍尔效应及磁电阻测量系统

    型号和规格:ET-9005

    生产厂商:东方晨景

    2.仪器主要用途

    主要用于测量半导体材料的电学性质,如迁移率,电阻率和载流子浓度等。

    3.主要技术指标

    电阻测量范围:10 m?——10 M?。温度范围:45 K~300 K

    4.样品尺寸:单面50×50 mm2

    5.安放地点:中心校区光电所214

    6.联系人:栾彩娜/庞智勇,邮箱:cnluan@sdu.edu.cn

     

     12.光谱(PL)测量系统

    2,3,4,5 光谱测量系统与光学平台


    1.仪器名称:光谱(PL)测量系统

    型号和规格:iHR320

    生产厂商:法国HORIBA Jobin Yvon公司

    2.仪器主要用途

    主要用于测量材料的光致发光光谱以及电致发光光谱。本系统可以测量波长200 nm-900 nm的光谱。

    3.主要技术指标

    激发波长为325 nm405 nm442 nm。温度范围为6 K-300 K

    4.安放地点:中心校区光电所219

    5.联系人:栾彩娜/冀子武,  邮箱:cnluan@sdu.edu.cn

     

     13.PDL基站数传电台

    1 仪器名称:PDL基站数传电台

    型号和规格:PDL-45-25W

    生产厂商:美国PDL公司

    2. 仪器主要用途:

    PDL-45-25W大功率基准站电台为野外测量(Surveying)、精准定位(Precise Positioning)等作业的全球导导航卫星系统(Global Navigation Satellite System)/动态实时差分(Real-time Kinematic)提供高速、远距离、抗干扰的无线数据链(Wireless Data Link)。电台结构坚固紧凑、重量轻、高效省电。无论环境多么恶劣,电台操作简单、性能稳定、工作可靠。电台为安装到三角架或平行杆独特设计并提供各种连接线、充电器、便携箱等附件。

    3.主要性能指标

      支持GPSGLONASS和北斗(Compss)系统、伽利略(Galileo)系统:兼容Pacific CrestTrimbleSatelMDS和其它电台;

      高速可靠传输:19.2/9.6kbps230.4/115.2kbps

      远距离:基站45瓦大功率射频输出,专用高增益天线;

      抗干扰:多信道跳频技术和终端自助写频功能;

      内置收发模块:结构精巧、接口丰富、低功耗、宽电压供电;

      天线开路保护和电源接反保护、供电灵活、IP66防水防震;

      安装简便、易集成;

      中继功能极小尺寸(26.5x33x3.5mm)

      航空、军用级连接插头封装可选择;

      兼容MicrohardN920F

      兼容PCCTrimbleSatelGNSS/RTK数据链协议。

    4.安放地点:山东大学软件园校区微电子学院实验楼

    5.联系人:邢建平,邮箱:18553101316@163.com  

     

     14. 示波器

     

    1.仪器名称:示波器

    型号和规格:MSOX2024A

    生产厂商:美国是德Keysight公司

    2.仪器主要用途:

    MSOX2024A示波器具有同类产品中最深的 100 kpts存储器,可在启用存储器的情况下保持高速响应,能够持续快速提供 50,000 波形/秒的业内最快更新速率。即便在您启用测量或添加数字通道时,其性能也不会受到影响。此外,还提供 23 种自动测量,例如电压、时间和频率,以及四种波形运算函数 (包括 FFT)。尽管拥有如此多的功能,产品的价格与同档次进口产品如 Tektronix TDS2000C 示波器相当。同时是首款提供集成逻辑分析仪功能的仪器。当今设计中数字内容几乎无处不在。通过添加 8 个集成的数字计时通道,您可以在一台仪器中获得多达 12 个通道进行时间相关的触发、采集和查看。购买 2 4 通道 DSO 后,您可以随时使用许可证启用集成的8 个数字计时通道,将 DSO 升级为 MSO

    3.主要性能指标

      200 MHz

      4 个模拟通道和 8 个数字通道

      8.5 英寸 WVGA 显示屏,清晰且轻松的信号查看

      1 Mpts 大容量存储器可以捕获更多数据

      高达 50,000 波形/秒的更新速率

    4.安放地点:山东大学软件园校区微电子学院实验楼

    5.联系人:邢建平,邮箱:18553101316@163.com  

     

     

     

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